氮化镓GaN、碳化硅SiC为主要代表的第三代半导体材料。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面性能优越,在新能源汽车、5G通信、数据中心、光伏等领域领头企业逐步使用。

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氮化镓GaN、碳化硅SiC为主要代表的第三代半导体材料。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面性能优越,在新能源汽车、5G通信、数据中心、光伏等领域领头企业逐步使用。与Si硅基MOSFET、IGBT相比,SiC MOSFET在开关效率、损耗、尺寸、频率、体积等指标上优势
氮化镓GaN、碳化硅SiC为主要代表的第三代半导体材料。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面性能优越,在新能源汽车、5G通信、数据中心、光伏等领域领头企业逐步使用。
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